賀德克傳感器HDA4748-H-0250-000

壓阻式壓力傳感器簡(jiǎn)介：

壓阻壓力傳感器是指利用單晶硅材料的壓阻效應和集成電路技術(shù)制成的傳感器。單晶硅材料在受到力的作用后，電阻率發(fā)生變化，通過(guò)測量電路就可得到正比于力變化的電信號輸出。它又稱(chēng)為擴散硅壓阻壓力傳感器，它不同于粘貼式應變計需通過(guò)彈性敏感元件間接感受外力，而是直接通過(guò)硅膜片感受被測壓力的。

壓阻壓力傳感器主要基于壓阻效應（Piezoresistive effect）。壓阻效應是用來(lái)描述材料在受到機械式應力下所產(chǎn)生的電阻變化。不同于壓電效應，壓阻效應只產(chǎn)生阻抗變化，并不會(huì )產(chǎn)生電荷。

大多數金屬材料與半導體材料都被發(fā)現具有壓阻效應。其中半導體材料中的壓阻效應遠大于金屬。由于硅是現今集成電路的主要原料，以硅制作而成的壓阻性元件的應用就變得非常有意義。硅的電阻變化不單是來(lái)自與應力有關(guān)的幾何形變，而且也來(lái)自材料本身與應力相關(guān)的電阻，這使得其程度因子大于金屬數百倍之多。N型硅的電阻變化主要是由于其三個(gè)導帶谷對的位移所造成不同遷移率的導帶谷間的載子重新分布，進(jìn)而使得電子在不同流動(dòng)方向上的遷移率發(fā)生改變。其次是由于來(lái)自與導帶谷形狀的改變相關(guān)的等效質(zhì)量(effective mass)的變化。在P型硅中，此現象變得更復雜，而且也導致等效質(zhì)量改變及電洞轉換。

壓阻壓力傳感器一般通過(guò)引線(xiàn)接入惠斯登電橋中。平時(shí)敏感芯體沒(méi)有外加壓力作用，電橋處于平衡狀態(tài)（稱(chēng)為零位），當傳感器受壓后芯片電阻發(fā)生變化，電橋將失去平衡。若給電橋加一個(gè)恒定電流或電壓電源，電橋將輸出與壓力對應的電壓信號，這樣傳感器的電阻變化通過(guò)電橋轉換成壓力信號輸出。電橋檢測出電阻值的變化，經(jīng)過(guò)放大后，再經(jīng)過(guò)電壓電流的轉換，變換成相應的電流信號，該電流信號通過(guò)非線(xiàn)性校正環(huán)路的補償，即產(chǎn)生了輸入電壓成線(xiàn)性對應關(guān)系的4～20mA的標準輸出信號。

為減小溫度變化對芯體電阻值的影響，提高測量精度，壓力傳感器都采用溫度補償措施使其零點(diǎn)漂移、靈敏度、線(xiàn)性度、穩定性等技術(shù)指標保持較高水平。

賀德克傳感器常用型號：

賀德克傳感器HDA4748-H-0250-000

賀德克油閥WSM 06020W-O1M-C-N-24 DG

賀德克傳感器EDS3446-3-0400-000

賀德克壓差開(kāi)關(guān)VM 2D.0/-L24

賀德克傳感器HDA4840-A-0300-424

賀德克發(fā)訊器VM5D.0/-L24

賀德克傳感器HDA4745-A-060-000

賀德克傳感器EVS-3106-A-0060-000

賀德克傳感器EDS3448-5-0100-000

賀德克充氮工具FPU-1-350/400F4G11A3K

賀德克傳感器ETS326-3-100-000

賀德克傳感器HDA4744-A-250-000

賀德克傳感器EDS3446-3-0250-00+ZBE06

賀德克傳感器HDA4745-A-0400-000

賀德克傳感器HDA4840-A-250-424（10M）

賀德克傳感器ETS1701-100-000+TFP104-000+SS

賀德克手持式測量?jì)xHMG2500-000-E

賀德克蓄能器SB330-4A1/112U-330A

賀德克發(fā)訊器VM2D.0/-L24

賀德克傳感器EDS344-3-100-000

賀德克發(fā)訊器VL2GW.0/-V-123

賀德克壓力開(kāi)關(guān)VM 5 D.0/-L220

賀德克傳感器EDS 346-1-250-000